2018 旭硝子財団 助成研究発表会 要旨集

139/198

= 1 = 1 2 = 1 T10.1% [3][6,7] 3(a)PL(b)PL (c)PL(d)(f) GaAs InSe[5]InSe % Mn 4K() InMnSe LED GaN 3. GaAs = 1 [7,8] InMnSe - 4. [1] G. Yusa et al., Nature 434, 1001 (2005).[2]J.N. Moore, J. Hayakawa, T. Mano, T. Noda, and G. Yusa, Phys. Rev. Lett. 118, 076802 (2017).[3] J. N. Moore, J. Hayakawa, T. Mano, T. Noda, and G. Yusa, Phys. Rev. B 94, 201408(R) (2016).[4] J. Hayakawa, K. Muraki, and G. Yusa, Nataure Nano. 8, 31 (2013).[5] G. W. Mudd, M. R. Molas, X. Chen, V. Zólyomi, K. Nogajewski, Z. R. Kudrynskyi, Z. D. Kovalyuk, G. Yusa, Patanè, Scientific Reports 6:39619 DOI:10.1038 (2016).[6] J. N. Moore, H. Iwata, J. Hayakawa, T. Mano, T. Noda, N. Shibata, and G. Yusa, arXiv:1806.00174.[7] M. Matsuura, T. Mano, T. Noda, N. Shibata, M. Hotta, and G. Yusa,Appl. Phys. Lett. 112, 063104 (2018). [8] G. Yusa, W. Izumida, and M. Hotta, Phys. Rev. A 84,032336 (2011).5. quantu.phys.tohoku.ac.jp －131－