2018 旭硝子財団 助成研究発表会 要旨集

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2 InAlAs QD (a) (b) 3 (a)(b) c) QD3(a)AuPMN-PTQD 10 kV/cmQD (3(b))InGaAs QD[7]10 meV100 eV QD: 1) 2) 3) GaAs 1), 2) HSQSiO2=QD3)QDAu 3. QDg 1. g 2. QDg 3. Bn,x 4. 1-3 g 4. [1] I. Merkulov, et al. 2002. Phys. Rev. B 665(20): 205309/1-8. [2] R. Kaji, et al. 2013. J. Appl. Phys. 1113(20): 203511/1-6. [3] A. J. Bennett, et al. 2013. Nat. Commun. 44: 2519/1-5. [4] R. Matsusaki et al., submitted to APL. [5] S. Yamamoto et al. 2018. Phys. Rev. B, 997(7): 075309/1-8. [6] O. Krebs et al., 2010. Phys. Rev. Lett. 1104(5): 056603/1-4. [7] R. Trotta et al., 2012. Adv. Material 224(20): 2668-2672. 5. 060-0808138 Tel/Fax: 011-706-6669 Email: r-kaji@eng.hokudai.ac.jp －115－